沉积工艺：硅烷、氨气和掺杂剂气体可实现化学和物理气相沉积，形成对 IC 制造至关重要的薄半导体层。

蚀刻：SF6 和 NF3 等气体通过等离子体和反应离子蚀刻在晶圆上蚀刻复杂的图案，精确地去除不需要的材料。

掺杂：二硼烷、磷化氢和砷化氢等掺杂气体会改变半导体材料的电性能，从而产生关键的 p 型或 n 型区域。

吹扫和清洁：高纯度氮气和氩气吹扫室，可防止污染并确保一致、无污染的条件。

冷却和温度控制：某些气体在制造过程中调节温度，防止热应力引起的缺陷。

气氛控制：惰性气体可稳定制造环境，保持工艺完整性并防止不必要的反应。

离子注入：氩气和三氟化硼等气体有助于离子注入，从而精确地改变底物特性。

光刻支持：压缩气体可保持清洁、稳定的环境，并有助于气动系统，这对于光刻过程中的精确机械运动至关重要。

在半导体制造的复杂舞蹈中，压缩气体是无声的编排者，精确地编排每一步——它们的特殊用途需要严格控制纯度和条件，以满足 ISO 8573 的严格标准，使其成为当今现代 IC 创建不可或缺的一部分。